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等级 赌场: [新闻及活动] 【活动结束】学习 TI 三级三相 SiC 交流/直流转换器资料

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楼主
 楼主 | 2019-6-24 15:34 | 只看该作者 ||退出气泡模式 |倒序浏览 |阅读模式
活动时间:2019.06.24-07.01


活动规则:下载下方学习资料,并截图类似图片回复在本帖下方,参与回帖即可参加。

前50名可获得2元红包奖励。

50名以后的网友,将挑选10名同样获得2元奖励。

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截图示例:


学习内容:
此参考设计概述了如何实现具有双向功能、基于 SiC 的三级三相交流/直流转换器。50kHz 的高开关频率降低了滤波器设计的磁性元件尺寸,并因此提高了功率密度。具有开关损耗的 SiC MOSFET 可实现高达 800V 的更高直流总线电压和更低的开关损耗,具有大于 97% 的峰值效率。此设计可配置为两级或三级整流器。
该系统由单个 C2000 微控制器 (MCU) TMS320F28379D 进行控制,它可在所有运行模式下为所有电源电子开关器件生成 PWM 波形。
      
          特性    
  • 额定标称输入峰值达到 380-400VAC,800V 直流输出
  • 在 400VAC 50Hz 或 60Hz 电网连接时,最大输出功率为 10kW 或 10kVA
  • 基于 SiC MOSFET 的高压 (1200V) 交流/直流全桥转换器,峰值效率 > 97%
  • 紧凑型滤波器,开关整流器频率为 50kHz
  • 用于驱动高压 SiC MOSFET 并具有增强型隔离功能的隔离式驱动器 ISO5852S,以及用于驱动中间 Si IGBT 的 UCC5320S
  • 使用 AMC1301 进行隔离式电流检测,从而实现负载电流监测
  • TMS320F28379D 控制卡可实现数字控制


下载资料:
zhcu580.pdf (1.07 MB, 下载次数: 125)

注:
1、同一ID 不重复获奖。
2、回帖需真实截图,不可套用他人截图,不可马甲号参与。
3、获奖楼层以最终的编辑时间为准,总楼层数以回贴总数为准。
4、一人多号,账号没有下载等情况,一经发现,不予发奖。
5、21ic官方对本活动具有最终解释权。

沙发
| 2019-6-24 15:43 | 只看该作者
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| 2019-6-24 15:44 | 只看该作者
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| 2019-6-24 15:53 | 只看该作者

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参加下,支持

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| 2019-6-24 16:19 | 只看该作者
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| 2019-6-24 19:24 | 只看该作者
参加了,学习学习



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| 2019-6-24 20:23 | 只看该作者
TI 三级三相 SiC 交流/直流转换器资料

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